Efecto de la temperatura sobre la velocidad de lixiviación de polvo de cobre contenido en circuitos impresos de computadoras en medio oxígeno-tiosulfato (O2-S2O32-)

Resumen

Con base a su alta conductividad eléctrica el cobre es uno de los materiales básicos de la ingeniería eléctrica y tecnológica y además de los metales preciosos, el cobre presente en placas de circuitos impresos es el más interesante para su recuperación y posterior uso como materia prima  debido a su valor  económico  y  contenido  relativamente  alto  en  comparación  con  los  minerales  explotables; generalmente  los  desechos  tanto  eléctricos  como  electrónicos  incluyen  dentro  de  su  estructura metales, los cuales se encuentran tanto en forma nativa y/o como aleaciones por lo que éstos pueden ser considerados como un posible recurso secundario comparado con los minerales. En el presente trabajo se aborda el estudio de la influencia de la temperatura sobre la velocidad de lixiviación del cobre  contenido  en  circuitos  impresos  de  computadoras  previamente  triturados  y  acotados  a  un determinado  número  de  malla  (30,  40,  50,  70  y  100)  de  acuerdo  a  la  serie  Tyler.  A  partir  de  la selección  de  la  malla  50  se  lleva  a  cabo  el  estudio  cinético  de  lixiviación  en  medio  O₂-S O ²⁻ (oxígeno-tiosulfato)  en  un  rango  de  temperaturas  estudiadas  de  16°C  a  65°C,  encontrando que  en este sistema bajo las siguientes condiciones de trabajo: temperatura de 65°C, pH 10, 750 min⁻¹, 5g de muestra  y  180  minutos  se  obtienen  hasta  7245  ppm  de  cobre  en  solución  con  una  energía  de activación de 15.00 kJ/mol.