Influencia del acoplamiento espín–órbita en la estructura electrónica de MnBi2Te4 y Bi2Te3

Rommel Flores Cruz; Jesús Benjamín Ortega Lazcano; Kevin Alejandro Martínez Legaria; Ventura Rodriguez Lugo

doi:10.29057/icbi.v14iEspecial2.17123

Autores/as

Rommel Flores Cruz Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo https://orcid.org/0009-0008-7625-5305
Jesús Benjamín Ortega Lazcano Tecnológico Nacional de México, Campus Pachuca https://orcid.org/0000-0002-9051-2039
Kevin Alejandro Martínez Legaria Universidad Tecnológica de Tecámac https://orcid.org/0009-0000-4430-9307
Ventura Rodriguez Lugo Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo https://orcid.org/0000-0001-8767-032X

DOI:

https://doi.org/10.29057/icbi.v14iEspecial2.17123

Palabras clave:

SIESTA, propiedades electrónicas, aislante topológico, simulación

Resumen

Se llevó a cabo un estudio teórico sobre los sistemas Bi2Te3 y MnBi2Te4 utilizando el código computacional SIESTA, con el objetivo de establecer una metodología adecuada para realizar simulaciones en este programa. Para determinar los parámetros más apropiados, se emplearon dos tipos de pseudopotenciales basados en la aproximación de densidad local (LDA) y en la aproximación de gradiente generalizado (GGA), considerando tanto casos no relativistas como totalmente relativistas. Además, se realizaron cálculos adicionales incorporando correcciones DFT+U y el acoplamiento spin-órbita (SOC). Los resultados obtenidos mostraron que las bandas prohibidas del sistema MnBi2Te4 fueron de 0,17 eV con LDA y 0,21 eV con GGA, mientras que para el sistema Bi2Te3 se obtuvieron valores de 0,17 eV con LDA y 0,30 eV con GGA. Los resultados del estudio resaltan la importancia de incluir los efectos del acoplamiento spin-órbita en los cálculos de las propiedades electrónicas de este tipo de materiales y presentan una comparación con resultados reportados en otras investigaciones.

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Citas

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