Performance metrics estimation in IC process flow by using TCAD simulations

Autores/as

  • Narasimhulu Thoti Golden Valley Integrated Campus, Madanapalli

DOI:

https://doi.org/10.29057/estr.v5i10.3298

Resumen

El flujo de fabricación de IC tiene muchos pasos de proceso, que deberían ser bien elegidos para un rendimiento optimizado. En nuestro estudio, se han investigado algunos pasos del proceso para mejorar el rendimiento mediante el uso de la simulación de proceso de Synopsys TCAD. Este trabajo incluye procesos tales como mecanismos de oxidación, difusión y recocido. Se presenta un resultado optimizado para la oxidación considerando las diferentes condiciones de temperatura en diferentes intervalos de tiempo. Un mecanismo importante como la canalización está bien estimado y se ha demostrado que un ángulo de 7o es el valor sofisticado para reducir el mecanismo de canalización. Y finalmente se ha investigado el mecanismo de recocido y se informaron los resultados.

Descargas

Los datos de descargas todavía no están disponibles.

Información de Publicación

Metric
Este artículo
Otros artículos
Revisores por pares 
2.4 promedio

Perfiles de revisores  N/D

Declaraciones del autor

Declaraciones del autor
Este artículo
Otros artículos
Disponibilidad de datos 
N/A
16%
Financiamiento externo 
No
32% con financiadores
Intereses conflictivos 
N/D
11%
Metric
Para esta revista
Otras revistas
Artículos aceptados 
22%
33%
Días hasta la publicación 
6
145

Indexado en

Editor y comité editorial
perfiles
Sociedad académica 
N/D

Descargas

Publicado

2018-07-05

Cómo citar

Thoti, N. (2018). Performance metrics estimation in IC process flow by using TCAD simulations. TEPEXI Boletín Científico De La Escuela Superior Tepeji Del Río, 5(10). https://doi.org/10.29057/estr.v5i10.3298