Implantación iónica como instrumento para la nanoestructuración de semiconductores

Resumen

En este trabajo se llevó a cabo el estudio de la interacción entre iones de baja energía (25 keV) y semiconductores, así como sus aplicaciones en nano-electrónica. El estudio se concentró en uno de los efectos que resultan de la interacción entre un haz de iones y un sólido: la implantación iónica.
Para realizar este estudio se utilizó como ion primario el silicio con carga positiva (Si+) para implantar una oblea comercial de germanio (Ge). Las muestras implantadas fueron posteriormente tratadas térmicamente, después se caracterizaron para determinar sus propiedades, químicas, estructurales, morfológicas y ópticas. Los resultados sugieren potenciales aplicaciones para fabricar dispositivos emisores de luz.