Implantación iónica como instrumento para la nanoestructuración de semiconductores

  • Angélica G. Hernández CINVESTAV-IPN
  • Yuriy Kudriavtsev CINVESTAV-IPN

Resumen

En este trabajo se llevó a cabo el estudio de la interacción entre iones de baja energía (25 keV) y semiconductores, así como sus aplicaciones en nano-electrónica. El estudio se concentró en uno de los efectos que resultan de la interacción entre un haz de iones y un sólido: la implantación iónica.
Para realizar este estudio se utilizó como ion primario el silicio con carga positiva (Si+) para implantar una oblea comercial de germanio (Ge). Las muestras implantadas fueron posteriormente tratadas térmicamente, después se caracterizaron para determinar sus propiedades, químicas, estructurales, morfológicas y ópticas. Los resultados sugieren potenciales aplicaciones para fabricar dispositivos emisores de luz.

Publicado
2018-07-05
Cómo citar
G. Hernández, A., & Kudriavtsev, Y. (2018). Implantación iónica como instrumento para la nanoestructuración de semiconductores. TEPEXI Boletín Científico De La Escuela Superior Tepeji Del Río, 5(10). https://doi.org/10.29057/estr.v5i10.3299