Modificación de la morfología de una superficie de silicio mediante el bombardeo con iones de oxígeno
Resumen
En este trabajo se realizó el estudio de la dinámica de formación de nanopatrones inducida mediante bombardeo iónico. El bombardeo se llevó a cabo sobre superficies de silicio (Si) a temperatura ambiente utilizando un haz de iones positivo de oxigeno diatómico (O2+). La energía del haz de iones utilizado fue de 2 keV y el ángulo de incidencia de 45°. La dosis de iones fue variada en el rango de 1.25x1018 iones/cm2 - 7.5 x1018 iones/cm2. Los resultados muestran que el régimen utilizado provoca la formación de estructuras nanométricas con forma piramidal. El patrón se comporta de acuerdo a los modelos lineales de formación de nano patrones.
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Citas
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