Modificación de la morfología de una superficie de silicio mediante el bombardeo con iones de oxígeno

  • Angélica Hernández Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV-IPN
  • Venkata Krishna Karthik Tangirala Escuela Superior de Tepeji, Ingeniería Industrial
  • René Asomoza-Palacio Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV-IPN
  • Yuriy Kudriavtsev Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV-IPN
Palabras clave: bombardeo iónico, formación de nanopatrones, superficies, bombardeo con iones de oxígeno

Resumen

En este trabajo se realizó el estudio de la dinámica de formación de nanopatrones inducida mediante bombardeo iónico. El bombardeo se llevó a cabo sobre superficies de silicio (Si) a temperatura ambiente utilizando un haz de iones positivo de oxigeno diatómico (O2+). La energía del haz de iones utilizado fue de 2 keV y el ángulo de incidencia de 45°. La dosis de iones fue variada en el rango de 1.25x1018 iones/cm2 - 7.5 x1018 iones/cm2. Los resultados muestran que el régimen utilizado provoca la formación de estructuras nanométricas con forma piramidal. El patrón se comporta de acuerdo a los modelos lineales de formación de nano patrones.

Citas

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Publicado
2019-01-05
Cómo citar
Hernández, A., Tangirala, V. K. K., Asomoza-Palacio, R., & Kudriavtsev, Y. (2019). Modificación de la morfología de una superficie de silicio mediante el bombardeo con iones de oxígeno. TEPEXI Boletín Científico De La Escuela Superior Tepeji Del Río, 6(11), 20-24. https://doi.org/10.29057/estr.v6i11.3821