Nano transistores de efecto de campo tipo aleta para aplicaciones digitales

José Luis González-Vidal; María Aurora Veloz-Rodríguez; Iván Alonso Lira-Hernández; Max García-Rivera; Rosa Ángeles Vázquez-García; Juan José Raygoza-Panduro

doi:10.29057/icbi.v9iEspecial.7218

José Luis González-Vidal Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo https://orcid.org/0000-0001-9482-0875
María Aurora Veloz-Rodríguez Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo https://orcid.org/0000-0002-3453-1227
Iván Alonso Lira-Hernández Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo https://orcid.org/0000-0001-7426-0006
Max García-Rivera Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo https://orcid.org/0000-0002-6303-8757
Rosa Ángeles Vázquez-García Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo https://orcid.org/0000-0001-6522-9859
Juan José Raygoza-Panduro Universidad de Guadalajara https://orcid.org/0000-0002-8567-4981

DOI: https://doi.org/10.29057/icbi.v9iEspecial.7218

Palabras clave: FinFET, Silicio sobre aislante, ULSI, CMOS

Resumen

El objetivo de este trabajo es proporcionar a los estudiantes de electrónica, computación y áreas afines, un panorama de la construcción y funcionamiento de los transistores de efecto de campo de aleta (FinFET), los cuales son dispositivos extremadamente diminutos, con longitud de compuerta en el rango de los nanómetros, se fabrican con la técnica de silicio sobre aislante (SOI). Utilizando FinFETs tipo n y p se diseñaron los diagramas esquemáticos y las formas y dimensiones de los materiales utilizando un código de colores (layouts) de las compuertas lógicas básicas, este tipo de compuertas son la base para el diseño y construcción de la mayoría de los dispositivos digitales utilizados en los aparatos electrónicos modernos, principalmente los portátiles. Con los tamaños tan reducidos de los FinFET se fabrican todos los microprocesadores, los DSPs, las memorias, los chips de los teléfonos celulares y tabletas de las compañías electrónicas más importantes del mundo.

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Citas

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